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芯思杰——用

发布时间:2017-08-23 14:43:26


  光耀万物之心,智享未来之情,在第十九届中国国际光电博览会(CIOE)召开的日子,芯思杰诚邀您参加2017年9月6-9日全球顶级光电盛宴,让我们相聚深圳会展中心一起共享光电技术的最新进展与应用,期待您莅临1号馆1B11展位指导。

 

  展品介绍

 

  Super TIA PD 光芯片

  该高灵敏度光电二极管芯片(Super PD Chip)是InGaAs/InP平面结构,其特点是:高响应度(1310nm典型值:1.05A/W,1550nm典型值:1.2A/W),低电容(典型值:0.16pF),低暗电流(典型值:0.05nA)。主要应用于光纤通信2.5Gbps GPON ONU的接收器件中。此款高灵敏度的2.5Gbps PIN PD配Super TIA可代替2.5Gbps APD+TIA,可以大大降低ONU成本和功耗。

 

  10G 数字光接收芯片

  该高速10Gbps光电二极管芯片是InGaAs PIN结构,其特点是:高响应度(1310nm典型值:1.04A/W,1550nm典型值:1.12A/W),低电容(典型值:0.17pF),低暗电流(典型值:0.05nA);Φ45μm的光敏面正面入光,且GSG焊盘处于共面便于TO-CAN封装的焊线。主要应用于光纤通信10Gbps接收器件中。

 

  10G APD光芯片

  该10Gbps APD光电二极管芯片是GSG电极结构,正面入光高速雪崩光电二极管芯片,入射光敏面Φ35um。产品主要特点是高倍增(典型值:M=10 @VR=VBR-2)、低电容(典型值:0.16pF)、高带宽(典型值:8.0GHz, @M=10)、低温度系数(典型值:65mV/℃)和高可靠性,主要用于10G SONET/SDH和10G PON光接收器。

 

  25G数字光芯片

  该25Gbps光电二极管芯片,是正面入光高速PIN光电二极管芯片,入射光敏面Φ20um。产品主要特点是高响应度(1310nm典型值: 0.9A/W)、低电容(典型值:0.08pF,@-5V)、低暗电流(典型值:0.05nA, @-5V)和高可靠性,主要和25Gbps TIA搭配,应用于长距、高速和单模的25Gbps光接收器。

 

  40G数字光芯片(4X10G)

  该1X4阵列14Gbps(40Gbps)光电二极管芯片,是正面入光高速PIN光电二极管芯片,入射光敏面Φ32um。产品主要特点是高响应度(1310nm典型值: 1.02A/W,1550nm典型值:1.1A/W)、低电容(典型值:0.16pF,@-2V)、低暗电流(典型值:0.05nA, @-5V)和高可靠性,主要和4X14Gbps 四通道TIA搭配,应用于长距、高速和单模的4X14Gbps光接收电信和数据通信。

 

  1.5mm四象限MPD

  该1.5mm四元探测器芯片是InGaAs/InP PIN平面结构,Φ1500微米四象限光敏面正面入光PIN PD。产品特点是暗电流低(典型值:0.6nA @-5V)、高响应度(1310nm典型值:1.05A/W,1550nm典型值:1.2A/W)和高可靠性,主要用于激光位置监测、光电跟踪、定位等应用。

 

  10G 850nm 光芯片

  该高速10Gbps光电二极管芯片是GaAs PIN结构,其特点是:高响应度(850nm典型值:0.6A/W,低电容(典型值:0.17pF),低暗电流(典型值:0.02nA);70μm的光敏面正面入光,且PN焊盘处于共面便于TO-CAN封装的焊线。主要应用于光纤通道传输、10Gigabit以太网和有源光缆设计等。

 

  100um测入光MPD

  该侧面入光的大光敏面InGaAs/InP PIN监测光电二极管,为台面结构,阳极和阴极在正面,光敏区尺寸达到100X80um,在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度(1310nm典型值:0.85A/W,1550nm典型值:0.95A/W),主要用于各种LD的后向光功率监测、FTTH数字光通信和光互联。

 

  240umX240um方形MPD(1X4阵列)

  该1X4方形阵列的InGaAs/InP大光敏区正照监测光电二极管,为平面结构,阳极在正面,阴极在背面,光敏区宽高达到240um,具有高ESD、低暗电流等特点,在980~1600nm波长范围内有的高响应度(1310nm典型值:1.02A/W,1550nm典型值:1.1A/W),主要用于各种LD的后向光功率监测。

 

  100G 数字光芯片(4X25G)

  该1X4阵列25Gbps(100Gbps)光电二极管芯片,是正面入光高速PIN光电二极管芯片,入射光敏面Φ20um。产品主要特点是高响应度(1310nm典型值: 0.9A/W)、低电容(典型值:0.08pF,@-5V)、低暗电流(典型值:0.05nA, @-5V)和高可靠性,主要和4X25Gbps 四通道TIA搭配,应用于长距、高速和单模的4X25Gbps光接收器。

 

  100G双级自由空间光隔离器

  产品特点:

  1、低插损 & 高隔离度;2、高可靠性 & 高稳定性;3、通过RoHS认证;4、客制化设计。

  应用领域:

  1、高隔离器要求的激光器;2、100G或更高速光收发器;3、QSFP+/ CFP2光收发模块。

 

  芯思杰有话说

 

  芯思杰公司是一家从事光学材料、光芯片、光器件研发、生产和销售的国家级高新技术公司,筹备于2011年,创立于2014年,2015年被列为深圳市政府重大项目,坐落于创新的摇篮、创业的乐园--深圳南山智园。

 

  芯思杰公司拥有国际先进的光芯片和光器件制造平台,拥有国际领先的研发设计和工艺团队,能为客户提供高品质的光芯片、光器件产品。

 

  芯思杰公司先后通过ISO9001质量管理体系,ISO14001环境管理体系及OHSAS18001职业健康安全管理体系认证,其光芯片产品已经实现100M~100G速率覆盖,努力成为国际一流的光学材料和光芯片批量化生产的龙头企业。

 

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